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Desde MOSFETs individuales son producidos en masa es probable que haya variaciones entre cada uno de ellos en relación con las características IV . Para algunos diseños de circuitos , las variaciones pueden ser notables entre las características teóricas y observadas de rendimiento. Para probar cada transistor antes de usarlo, el drenaje está conectado a la alimentación y la fuente de conectado a tierra. El voltaje de puerta a fuente se ajusta a valores discretos , mientras que se varía la tensión de drenaje . La medición de la corriente con cada variación produce los datos para construir una familia de curvas visto con muchas hojas de datos de los MOSFET .
Transistor Tester
Debido al coste prohibitivo , la aficionado típica no sería utilizar un probador de transistores con una pantalla gráfica para determinar las características IV de un MOSFET . Se trata de una pieza de equipo más comúnmente visto en entornos de investigación y pruebas. Mediante la conexión de los cables a la fuente , puerta, y de drenaje , el probador de transistores muestra una familia de curvas de medición IV a intervalos apropiados . Dependiendo del modelo , los datos obtenidos también se pueden grabar en un disco para su posterior recuperación o la transferencia a un ordenador.
Probe y Prueba
Después de un lote de MOSFETs se ponen a prueba , el grupo de investigación y de pruebas en las instalaciones de fabricación de dispositivos semiconductores prueba cada transistor para verificar si está funcionando . Las sondas se unen la fuente , puerta, y la fuga de cada MOSFET. Las características IV se pueden aprender acerca de cada uno . Sólo los transistores que trabajan sobre una oblea de acabado serán cortadas y envasadas . Dado que el objetivo de esta prueba es maximizar el rendimiento, cada transistor se pone a prueba para asegurarse de que cada uno es dentro de las especificaciones de diseño.
Design Software
mucho relacionado con el diseño de edificios y varias máquinas , un software especial se utiliza para diseñar MOSFETs . Además de la capacidad para diseñar las capas de máscara necesarios para los procesos de fabricación , este software es capaz de proporcionar mediciones teóricas IV . Estos resultados se basan fuera de los muchos factores que se han descubierto a través de una amplia investigación sobre los MOSFETs . Estos factores incluyen capacidades parásitas y las impedancias internas . Con toda esta información disponible, las características IV de un MOSFET se pueden determinar antes de que se fabricó .